亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟

摘要：

DSOI MOSFET是一中新型MOSFET器件.本文利用EOA散射非平衡能量热电耦合模型对其进行数值模拟,得到了器件静电势、载流子浓度、速度、电子温度、声子温度等分布,综合分析了其热电性质.数值结果表明非平衡能量状态在亚微米DSOI MOSFET的确存在,棚极靠漏区是器件热电特性变化最厉害的区域.与SOI器件相比,DSOI器件自然效应很小,具有很好的热电特性.

关键词： MOSFET器件 EOA 热电耦合模型 数值模拟 热电性质 半导体器件

作者: 段传华 梁新刚

作者单位: 北京清华大学工程力学系过程节能与传热强化教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国工程热物理学会2004年传热传质学学术会议

会议地点: 吉林

会议语种:中文

页码: 599-602

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）