Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析
在集成电路工艺中,硅芯片上的电子组件是采用金属导线将它相互连接起来<””1”>.可作互连导线的金属有Al、Au、Ag、Cu和Ti等.集成度并不高的传统IC工艺中,使用的金属是Al.但铝在硅中容易发生电迁移、发生Al/Si共熔的”铝吃硅”现象、在300℃左右的工艺温度下,铝膜上会形成突起,有时甚至会穿透相互连线之间的电介质绝缘层,造成短路<””2”>.所以当IC工艺水平发展到0.18μm以下时,铝的电阻率及抗电迁移性能已经不能满足实际需求,必须开发新的金属材料.
二次离子质谱 集成电路工艺 互连工艺
曹永明 方培源 姜蕾
复旦大学材料科学系(上海) 上海Intel公司(上海)
国内会议
广西北海
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2004-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）