会议专题

辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.

辉光放电 光谱法 掺杂 纳米硅薄膜

张毅 陈英颖 吴则嘉 刘晓晗 杨晟远 张林春

宝山钢铁股份有限公司技术中心(上海) 上海维安新材料研究中心有限公司(上海)

国内会议

中国金属学会第十二届分析测试学术年会

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253-258

2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)