MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性

摘要：

本文研究了超晶格等效法生长的Al<,0.98>Ga<,0.02>As薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受到腐蚀圆台直径影响,详细研究了氧化各向异性与时间、氧化圆台直径等因素的关系,并用理论模型分析了此种氧化的动力学特性.

关键词： AlGaAs 湿氮氧化 超晶格等效 等效法生长 分子外延

作者: 佟存柱 韩勤 杜云 徐应强 牛智川 吴荣汉

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 97-101

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）