InP基HEMT的自洽计算模型

摘要：

利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定具有指导意义.

关键词： 有限差分法 自洽计算 InAlAs/InGaAs 参数设定 晶体管

作者: 李东临 曾一平 王军喜 王晓亮

作者单位: 中国科学院半导体所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 92-96

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）