InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究

摘要：

利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,电流密度为144A/cm<”2>,连续波光功率输出2.67W(双面),外量子效率为63﹪,特征温度为320K.研究了QD激光器的激射特性,并对结果作了讨论.

关键词： 应变自组织量子点 InAs/GaAs 量子点激光器 激射特性 分子束外延技术 InAs/GaAs量子点

作者: 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 86-91

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）