内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究

摘要：

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.

关键词： InAs量子点 光致荧光谱 调制掺杂 场效应晶体管 光电特性

作者: 曾宇昕 刘伟 杨富华 徐萍 谭平恒 章昊 边历峰 郑厚植 曾一平

作者单位: 中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京) 中科院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 81-85

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）