铁磁半导体GaMnAs的MBE生长和特性研究

摘要：

我们用MBE生长得到一系列不同Mn含量的GaMnAs外延层,其X-射线衍射峰的半高宽为(40-90sec),在含5﹪的Mn的样品中所测到的铁磁居里转变温度约为110K.在居里点以下至10K,样品表现出良好的金属导电特性,同时我们也讨论了GaMnAs的晶格常数随Mn组份的变化关系以及GaMnAs的电阻率随温度的和退火条件的变化曲线.

关键词： 铁磁半导体 GaMnAs 分子束外延生长 生长特性

作者: 杨春雷 何洪涛 葛惟昆 王建农 邱凯 姬长建 钟飞 王玉琦

作者单位: 香港科技大学物理系 材料物理重点实验室,中科院固体物理研究所(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 73-77

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）