AlGaAs/GaAs HBT的结构与工艺改进

摘要：

在原有的异质结双极晶体管(HBT)器件结构及工艺基础上进行改进,利用湿法刻蚀自对准工艺设计制作了AlGaAs/GaAs HBT.经过实验对比;工艺改进前后,在相同的J<,C>=3.25×10<”4>A/cm<”2>情况下,其增益由原来的180提高至260,器件性能有了明显提高.

关键词： GaAs 双极晶体管 湿法刻蚀 自对准工艺 制作工艺

作者: 胡海洋 牛萍娟 董宏伟 王文新 周均铭

作者单位: 中国科学院物理研究所(北京);天津工业大学(天津) 天津工业大学(天津) 中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 70-72

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）