1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究

摘要：

本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光器的串联电阻为196Ω,6mA下的边模抑制比为41dB.

关键词： GaInNAs 垂直腔面发射激光器 结构优化 半导体激光器

作者: 沈坤 岳爱文 王任凡

作者单位: 武汉电信器件公司芯片部

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 66-69

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）