SOI波导弯曲损耗影响因素的分析

摘要：

采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,改进波导结构,例如在弯曲波导外侧刻槽可以减小SOI脊形波导的弯曲损耗.

关键词： SOI 弯曲波导 弯曲损耗 集成光学

作者: 陈媛媛 余金中 严清峰 陈少武

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 661-664

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）