去除半导体工艺用水中的硼

摘要：

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L.满足了大规模集成电路用水中硼的要求(对于兆位电路,硼要求<1ìg/L).

关键词： 半导体工艺 电脱盐 脱硼

作者: 闻瑞梅 邓守权 郭伟伟

作者单位: 上海同济大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 629-632

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）