太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究

摘要：

通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越底的THz辐照对二维半导体输运的影响越大.计算的辐照频率为0.64THz的电磁辐射在InAs/AlSb异质结的吸收率与实验结果吻合很好.

关键词： 太赫兹辐射 异质结 碰撞离化 吸收率

作者: 曹俊诚

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 612-615

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）