10Gb/s自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器的研究

摘要：

本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,单指管子电流增益为80,发射极面积3.6um×6um的单管在V<,CE>=2V偏压条件下截至频率达到了60GHz.我们设计并制作了单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时为59.3dBU,3dB带宽为9.4GHz,输出反射系数小于—9dB.

关键词： InGaP/GaAs HBT 自对准工艺 跨阻放大器

作者: 袁志鹏 孙海峰 刘新宇

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 58-62

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）