30GHz PHEMT振荡器

摘要：

本文介绍了一种30GHz VCO的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路采用共源网络结构基于负阻概念设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和脉冲I-V参数,提取出该器件的Modified_Materka FET模型参数,变容管由共源一漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.

关键词： PHEMT 谐波平衡法 工艺制作 压控振荡器

作者: 吴阿慧

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 556-559

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）