B在SiGe中的应变补偿作用

摘要：

用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.232×10<”-24>.

关键词： SiGe 应变补偿 B掺杂 真空化学汽相淀积

作者: 成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 551-555

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）