微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究

摘要：

本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合的很好,变功率实验也进一步证实了我们的结论.

关键词： 微腔 光荧光特性 Ge量子点 调制作用

作者: 李传波 毛容伟 左玉华 成步文 余金中 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 546-550

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）