微晶硅薄膜的微结构及光电特性

摘要：

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H<,2>/SiH<,4>中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移率寿命(μτ)乘积分析了薄膜的光电特性.

关键词： 光电特性 微晶硅薄膜 微结构 等离子体增强化学气相沉积

作者: 郝会颖 孔光临 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 许颖

作者单位: 中科院半导体研究所表面物理实验室;中国地质大学(北京) 中科院半导体研究所表面物理实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 543-545

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）