1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

摘要：

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,620℃的键合过程和后续的剥离工艺过程不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度.

关键词： GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP 多量子阱 垂直腔面发射激光器 物理特性

作者: 吴惠桢 黄占超 劳燕锋

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 53-57

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）