GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

摘要：

SGOI(SiGe on Insulator)是近年来日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种的新型微电子材料,并被ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文介绍了我们用气固源分子束外延工艺(GSMBE)在SOI超薄硅衬底上外延生长高质量驰豫态SiGe合金薄膜来制备SGOI样品及其高温退火行为的研究结果.用Raman、DCXRD、RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.

关键词： 绝缘体上硅锗 退火行为 SGOI材料 分子束外延

作者: 刘超 高兴国 李建平 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京);北京师范大学物理系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 533-537

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）