硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展

摘要：

绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,被ITRS列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进展.

关键词： 绝缘体上硅锗 薄膜技术 SGOI薄膜 制备方法

作者: 刘超 高兴国

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京);北京师范大学物理系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 529-532

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）