低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

摘要：

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.

关键词： 稀磁半导体 分子束外延 低温退火

作者: 邓加军 赵建华 蒋春萍 牛智川 杨富华 郑厚植

作者单位: 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 521-524

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）