低能离子束方法制备Mn-Si薄膜

摘要：

采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)分析了样品的组分特性,X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜法(AFM)分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结果呈非晶体.300℃条件下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,Mn-Si固溶体薄膜被制备.

关键词： 低能离子束 X-射线衍射 Mn-Si薄膜 薄膜制备

作者: 刘力锋 陈诺夫 柴春林 杨少延 刘志凯

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京);中国科学院力学研究所国家微重力实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 517-520

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）