等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷

摘要：

用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH<,4>)作硅源,磷烷(PH<,3>)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长Si纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.

关键词： 硅纳米线 化学汽相沉积 纳米器件

作者: 曾湘波 廖显伯 郝会颖 王博 戴松涛 刁宏伟 向贤碧 孔光临

作者单位: 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室(北京) 清华大学物理系,原子分子纳米科学教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 513-516

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）