SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线

摘要：

用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO<,x>薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO<,x>薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO<,x>薄膜经过高温退火生长SiNWs的一种无需金属催化,与硅集成工艺兼容的新方法.

关键词： SiO<,x> 等离子体化学气相沉积法 SiO<,x>薄膜 Si纳米线

作者: 王晓欣 张建国 王启明

作者单位: 中国科学院半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 501-505

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）