(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择

摘要：

本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,与铬金组合成双重掩膜层可以解决该问题,掩蔽特性良好.

关键词： 掩膜层 腐蚀液 腐蚀机理

作者: 罗丽萍 李传波 赵雷 时文华 成步文 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 497-500

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）