CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究

摘要：

本文引入一种新的低毒化合物CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH<,4>)<,2>S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.

关键词： CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH GaInAsSb 红外探测器 表面钝化处理

作者: 刘延祥 夏冠群 唐绍裘 程宗权 郑燕兰

作者单位: 湖南大学材料科学与工程学院(湖南);中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 湖南大学材料科学与工程学院(湖南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 49-52

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）