会议专题

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d的关系:δ~d<”β>,动力学标度因子β与生长机制相关.结果表明在沉积气压为5pa时,对于玻璃衬底β=0.48.而对于Si(100)衬底分成两个生长阶段.在薄膜形成早期(d<10nm)β=0.33;当薄膜厚度大于10nm时β增至0.47.早期生长阶段,在Si(100)衬底和玻璃上具有不同β值,分析表明不是反应基元在衬底的扩散不同造成的,这表明还有其它的机制影响薄膜的表明,用反应基元的再发射模型很好解释了此结果.

生长机制 表面形貌 微晶硅薄膜 热丝化学气相沉积

谷锦华 周玉琴 朱美芳 周炳卿 刘丰珍 刘金龙 张群芳

中国科学院研究生院物理系

国内会议

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

大连

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489-492

2004-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)