颗粒硅带为衬底的开口隔离层上多晶硅薄膜电池制备
在SSP硅带衬底上制备开口SiO<,2>隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜电池.研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;电池的光特性参数V<,oc>、I<,sc>、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83﹪.指出了改进的工艺措施.
多晶硅薄膜电池 颗粒硅带 隔离层
梁宗存 沈辉
中国科学院广州能源研究所(广州)
国内会议
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
大连
中文
484-488
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）