Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量

摘要：

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.

关键词： 磷化铟 EPD 分布测量 位错分布 生长工艺 晶体生长 半导体材料

作者: 周晓龙 孙聂枫 赵彦军 杨克武 杨光耀 谢德良 刘二海 孙同年

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 4-8

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）