Ar/O<,2>比对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜带隙的影响

摘要：

研究了Ar/O<,2>比对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O<,2>的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O<,2>=1:1时,薄膜带隙达到最小值.

关键词： Ar/O<,2> Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜 磁控溅射 薄膜带隙

作者: 陈兰兰 叶志镇 赵炳辉 马德伟 林朝通

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 477-479

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）