脉冲激光沉积法合成Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜及其光吸收特性

摘要：

控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜材料.结果发现,SiO<,2>基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200nm—450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.

关键词： Bi<,2>Ti<,2>O<,7> 脉冲激光沉积法 介电性能 光吸收特性 介电薄膜

作者: 林元华 王建飞 何泓材 周剑平 周西松 南策文

作者单位: 清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 456-459

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）