粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响

摘要：

利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,经过改进工艺条件,消除了部分缺陷.

关键词： 离子束沉积 晶体结构 衬底温度 氧化钆薄膜

作者: 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京);清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 451-455

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）