GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析

摘要：

本文分析GaAs/Ge单结太阳电池研制中,两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95﹪(AM0,25℃,2×4cm<”2>)的GaAs/Ge太阳电池.

关键词： GaAs/Ge太阳电池 特性曲线 计算机模拟 界面扩散

作者: 涂洁磊 王亮兴 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇

作者单位: 上海空间电源研究所(上海);云南师范大学太阳能研究所(昆明) 上海空间电源研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 44-48

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）