掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响

摘要：

采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm<”-1>和800cm<”-1>等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强.采用X射线单晶衍射技术(SCXRD)对SiGe单晶的晶格常数进行了分析,认为新峰的产生可能是Ge的掺入在Si中形成Ge—C或Si—Ge—C复合体而引起的.同时由于临近Ge原子的影响,部分Si—O—Si键的键长和键角发生变化,使1106cm<”-1>间隙氧吸收峰发生了显著的改变,在1118cm<”-1>产生新的吸收峰.

关键词： 直拉法 掺锗 硅锗单晶 红外光谱

作者: 蒋中伟 张维连 牛新环 张书玉

作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 442-445

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）