Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响

摘要：

本文在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区拉曼散射法和俄歇(AES)深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ni中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.

关键词： 硅化物 NiSi 固相反应 离子束溅射淀积 Ni/Ti双层膜

作者: 蒋玉龙 茹国平 屈新萍 李炳宗

作者单位: 复旦大学微电子学系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 436-438

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）