热丝辅助改善高速生长a-Si:H薄膜性能的研究

摘要：

a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH<,4>进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长的a-Si:H薄膜呈现出较高的光敏性(光电导/暗电导)、较低的键合氢含量.分析表明,热丝对等离子体的热辐射对a-Si:H薄膜性能的改善起了决定性的作用.热丝辅助MWECR-CVD方法的提出为调控高速生长的a-Si:H薄膜的性能提供了一种新的途径.

关键词： a-Si:H MWECR-CVD法 光敏性 a-Si:H薄膜 薄膜性能 热丝辅助

作者: 阴生毅 陈光华 荣延栋 朱秀红

作者单位: 中科院电子所(北京) 北京工业大学材料科学与工程学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 432-435

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）