GaInP<,2>/GaAs/Ge叠层太阳电池中高效率Ge底电池研究

摘要：

本文从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了对Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响情况,结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm<”2>,效率达到7.35﹪的Ge太阳电池.

关键词： 太阳电池 GaInP<,2>/GaAs/Ge Ge底电池 电性能

作者: 王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波

作者单位: 上海空间电源研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 40-43

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）