用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导

摘要：

本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.

关键词： 氮氧硅薄膜 软失效电导 软失效时间 缺陷导电

作者: 许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉

作者单位: 北京大学微电子研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 397-400

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）