快速热退火对p型GaN电学性质的影响

摘要：

利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10<”18>cm<”-13>,迁移率5.54cm<”2>/Vs,电阻率0.144Ωcm<”-1>.对p-GaN Raman分析得出RTA能有效消除Mg-H复合体振动模产生的峰,说明RTA对Mg的激活效果好.对p-GaN DCXRD(双晶衍射)测试得出RTA处理前后的半高宽分别为580arcsec和560arcsec,这表明RTA对晶体质量也有所提高.

关键词： 快速热退火 GaN 电学性质 MOCVD

作者: 洪炜 朱丽萍 叶志镇 唐海平 赵浙 倪贤锋 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 389-391

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）