碳化硅光控异质结达林顿晶体管导通机理研究
利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,用数值模拟法就提出的碳化硅光控达林顿异质结晶体管功率开关进行了导通机理的研究,并通过修正二维数值模拟器MEDICI中有关的参数的模型,对新颖的光控功率开关的开关过程进行了模拟分析.分析结果表明,在触发光功率为1W/cm<”2>时,随集电极电压的增大,处于关闭态的功率开关,经由中间过渡区达到开通状态,光控器件具有较好的开关特性,其开关比高达4个数量级.
碳化硅 光控达林顿晶体管 功率开关 导通机理 数值模拟
蒲红斌 陈治明
西安理工大学电子工程系(陕西西安)
国内会议
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
大连
中文
385-388
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）