大功率倒装结构GaN LED P电极研究

摘要：

从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN P电极接触的潜在优势.

关键词： 倒装结构 接触电阻 GaN 发光二极管

作者: 伊晓燕 马龙 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽

作者单位: 中科院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 374-378

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）