Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研究

摘要：

本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAl<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等实验测量分析.实验结果表明低压条件下气相中的寄生反应可以得到有效控制.而且样品表面的均方根粗糙度约为一个单分子层厚度,阱垒之间的界面也很陡直.与GaN衬底相比,超晶格中的c型位错密度没有增加.

关键词： GaN AlGaN 超晶格 X射线反射 结构特性 金属有机物化学气相沉积法

作者: 孙钱 张纪才 王建峰 陈俊 赵德刚 王玉田 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京);武汉大学物理系(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 365-367

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）