柔性衬底上GaN生长研究

摘要：

使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO<,2>-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值.研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量.

关键词： 分子束外延 GaN 柔性衬底 光致发光

作者: 王军喜 王晓亮 刘宏新 胡国新 李建平 李晋闽 曾一平

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 361-364

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）