偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究

摘要：

化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因,利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.

关键词： 4H-SiC 外延生长 偏晶向衬底 化学气相沉积 表面形貌

作者: 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 357-360

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）