Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性

摘要：

本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13-20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.

关键词： GaN Si衬底 结构特性 X射线衍射 AlN缓冲层 缓冲层厚度 外延层

作者: 王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京);武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 353-356

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）