化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.PL测试发现在2.8—3.1eV范围内,有很强的4H-SiC的施主-受主对(DAP)跃迁发光峰,以及自由电子向束缚在受主杂质上的空穴跃迁的发光峰.对于在较低温度下外延的4H-SiC样品,在其PL谱中也观察到在1.8-2.4eV范围内出现很宽的谱峰.利用室温Raman散射谱分析了SiC的多型体情况.发现在低温下生长的样品的Raman谱中,出现了典型的3H-SiC的Raman普,表明该样品含有立方相SiC,这与PL谱获得的结果相吻合.
4H-SiC 化学气相沉积 外延生长 外延膜 生长特征
高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平
中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 兰州大学物理学院(兰州)
国内会议
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
大连
中文
348-352
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）