V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响

摘要：

由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的V/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.

关键词： 氮化铟 表面形貌 生长温度 外延膜

作者: 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉

作者单位: 中国科学院半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 341-344

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）