SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征

摘要：

用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变化.并结合霍耳(Hall)测试结果对未有意掺杂3C-SiC的电学特性进行了研究.

关键词： 3C-SiC SOI衬底 结构特性 电学特性 低压化学淀积

作者: 王晓峰 曾一平 孙国胜 王雷 赵万顺

作者单位: 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 336-340

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）