Si上GaN的GSMBE生长及MSM紫外探测器的响应特性

摘要：

作用NH<,3>源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10<”-2>A/W.

关键词： 分子束外延 氮化镓 Si衬底 紫外探测器

作者: 张南红 王晓亮 王军喜 刘宏新 肖红领 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 332-335

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）